全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠商，采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2012年秋季開(kāi)始供應(yīng)。

       瑞薩電子在開(kāi)發(fā)具有高質(zhì)量及高可靠性的閃存MONOS(金屬氮氧硅)技術(shù)方面，擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)且廣受好評(píng)。在2007年，瑞薩電子便成為第一家推出90nm汽車用閃存MCU產(chǎn)品的廠商。

       瑞薩電子閃存MONOS技術(shù)為可擴(kuò)充的技術(shù)，不僅可靠性高且具備高效能。40nm閃存測(cè)試組件的評(píng)估結(jié)果，已證明其在三個(gè)重要的參數(shù)(數(shù)據(jù)保存、程序/擦寫(xiě)周期耐受性及程序設(shè)計(jì)時(shí)間)方面，均能成功做到優(yōu)異的特性表現(xiàn)。40nm制程節(jié)點(diǎn)可整合多種與安全相關(guān)的功能性與通訊接口。

       瑞薩電子40nm閃存IP保證數(shù)據(jù)可保存20年，并可在最高170℃結(jié)合溫度下進(jìn)行讀取。此外，程序代碼閃存支持120 MHz讀取速度，而數(shù)據(jù)閃存即使在125,000次程序/擦寫(xiě)周期后，仍可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的20年超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保存時(shí)間。